基于GaAs工艺的超宽带混合集成功率放大器

• 作者: 胡俊 陈晓娟
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 超宽带 功率放大器 混合集成 GaAs
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 页码范围: 59-63
• 页数: 5页
• 分类号: TN602
• 语种: 中文

摘要

基于0.15 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款可以应用于超高频(VHF)和甚高频(UHF)的超宽带功率放大器.该功放工作在AB类,由上下两条对称支路构成.输出电路采用T型结合成技术,在片外使用罗杰斯4350B高速印刷电路板(PCB)制作.最后在先进设计系统软件(ADS)里进行芯片和PCB板的联合仿真.仿真结果显示:此款功放的工作带宽是30 MHz～3 GHz,带宽超过6个倍频程.在整个频带内,小信号增益在21 dB士0.3dB之间,输入输出回路损耗基本在-10 dB以下.连续波测量下,饱和输出功率在30.9 dBm士0.5dB之间,功率附加效率(PAE)在17.7％～14.0％之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡俊	中国科学院微电子研究所	35	654	15.0	25.0
5	陈晓娟	中国科学院微电子研究所	26	185	9.0	12.0