一种Ka波段PHEMT单片集成功率放大器设计

• 作者: 李彩红
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: Ka波段 PHEMT MMIC 功率放大器
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 127-129
• 页数: 3页
• 分类号: TN911-34
• 语种: 中文

摘要

基于GaAs衬底PHEMT工艺的新一代微波器件,具有截止频率高,增益大以及效率高的特点,该工艺更适合于微波频率的应用.采用WIN半导体公司的0.15 μm PHEMT工艺设计了工作在29～31 GHz Ka波段单片集成功率放大器,电路采用RC并联网络实现稳定性能,三级放大结构满足功率增益在30 GHz处为27 dB,输出1 dB压缩点功率为30 dBm,输入驻波比小于1.5,功率附加效率为35％.电路采用6V电源供电,芯片面积为2.30 mm×1.23 mm.最后设计通过仿真,得出在30 GHz的时候,Pldb输出功率达到30.4 dBm,PAE为35％,输入驻波比为1.26,功率增益为27 dB左右.在整个频段里面稳定系数远大于1,整个电路利用RC并联稳定网络实现了无条件稳定,达到了设计的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李彩红		11	73	4.0	8.0