一种 C波段单片全集成 SiGe BiCMOS功率放大器

• 作者: 乔晓明 付军 张为 曹锐 李庄 王玉东
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 功率放大器 SiGe BiCMOS 异质结双极晶体管 相控阵雷达
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 142-145,150
• 页数: 5页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文

摘要

采用0．13μm SiGe BiCM OS工艺设计了一种应用于C波段相控阵雷达T／R组件的单片全集成射频功率放大器（RFPA ）．该放大器采用单级单端Cascode结构，工作于AB类，实现了包括偏置电路和匹配电路在内的片上全集成．芯片总面积为1．4 mm ×0．8 mm （包括Pad）．测试结果显示，在4～6 G Hz范围内，PA的小信号增益 S21大于18 dB ，输入回波损耗 S11小于－10 dB ．在5 G Hz中心频率下，PA的输出1 dB压缩点为18．6 dBm ，功率附加效率为26％．最大输出功率为23．8 dBm ，最大功率附加效率为39．2％．设计的单级功放实现了较高的增益和效率．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张为	天津大学电子信息工程学院	71	358	10.0	15.0
2	曹锐	中国电子科技集团公司第三十八研究所	17	51	3.0	6.0
3	李庄	中国电子科技集团公司第三十八研究所	5	5	1.0	2.0
4	王玉东	清华大学微电子学研究所	3	5	1.0	2.0
5	付军	清华大学微电子学研究所	3	35	2.0	3.0
6	乔晓明	天津大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0