应用于4G的两级BiCMOS射频功率放大器设计

• 作者: 杨正琳 王巍 王明耀 胡凤 莫啸 蔡文琪 袁军
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 射频功率放大器 SiGe BiFET
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 56-59,64
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.75
• 语种: 中文

摘要

设计一个基于SiGe BiCMOS工艺的共源共栅结构的两级功率放大器 .第一级采用差分共源放大器 ,将输入匹配送来的信号进行预放大 ,同时抑制噪声 .第二级主功放采用BiFET 共源共栅结构 ,以提高线性度 .基于JAZZ 0 .18 μm SiGe BiCMOS工艺库 ,采用Cadence Spectre RF对功率放大器进行仿真 .实验结果表明 ,在3 .3 V电源电压下 ,最高功率增益达到32 dB ,输出1 dB压缩点处功率为29 dBm ,有较好地线性度 ,在2 .3~2 .7 G Hz频段内S11和S22均小于-10 dB ,匹配良好 .最大功率附加效率为22 .1% ,可用于WIMAX无线通信的2 .3~2 .7 GHz频段 .

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王巍	重庆邮电大学光电工程学院	72	264	9.0	10.0
2	袁军	重庆邮电大学光电工程学院	20	32	3.0	4.0
3	杨正琳	重庆邮电大学光电工程学院	2	7	1.0	2.0
4	蔡文琪	重庆邮电大学光电工程学院	2	2	1.0	1.0
5	莫啸	重庆邮电大学光电工程学院	2	2	1.0	1.0
6	胡凤	重庆邮电大学光电工程学院	1	0	0.0	0.0
7	王明耀	重庆邮电大学光电工程学院	1	0	0.0	0.0