基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的60GHz VCO分析与设计

• 作者: 吴玉平 王东 陈岚
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 锗硅 压控振荡器 传输线 相位噪声
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 189-192
• 分类号: TN752
• 语种: 中文

摘要

采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一个60GHz的交叉耦合差分压控振荡器(VCO).通过分析传输线的性能,用λ/ 4短路传输线构造谐振回路.在分析VCO相位噪声的基础上,采用噪声滤波技术提高VCO的相位噪声性能.该VCO的工作电压为2.2V,偏置电流为11mA,频率调谐范围为58.377GHz～60.365GHz.当振荡频率为60.365GHz时,1MHz和10MHz频偏处的相位噪声分别为-79.1dBc/ Hz和-99.77dBc/ Hz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈岚	中国科学院微电子研究所	86	361	10.0	14.0
2	王东	中国科学院微电子研究所	83	1115	19.0	31.0
3	吴玉平	中国科学院微电子研究所	8	10	2.0	3.0