0.5μm高速BiCMOS的工艺研究

• 作者: 孙宝刚 海潮和 程超
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: BiCMOS工艺 SIC技术 Si3N4/SiO2复合侧墙 超薄内基区
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 133-135
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.01.036

摘要

报道了一套先进的0.5μm高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺.工艺中采用了先进的深槽隔离技术、选择性集电极注入(SIC)技术、使用自对准Si3N4/SiO2复合侧墙作为E-B结的隔离、用低能氟化硼取代硼注入基区形成超薄内基区.通过优化BiCMOS制作工艺,最终制作出了性能优良的高速BiCMOS器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	孙宝刚	中国科学院微电子研究所	6	8	2.0	2.0
3	程超	中国科学院微电子研究所	5	3	1.0	1.0