0.35μm BiCMOS工艺的器件建模

• 作者: 刘佑宝 吴龙胜 唐威 杨立斌 苏海伟
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: BiCMOS BSIM GP
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 81-85
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

针对0.35μmBiCMOS工艺的MOS及Bipolar晶体管器件,分析其结构特征及相应物理效应,选取相应的晶体管器件理论模型,确定了样管测试条件和方法,设计了测试结构及模型验证环振电路,完成用于试验流片及参数提取的测试版芯片的设计,最终利用测试芯片的测量数据提取模型参数,分别建立高精度的MOS及Bipolar器件SPICE模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘佑宝		56	248	9.0	13.0
2	吴龙胜		50	120	6.0	8.0
3	唐威		25	90	6.0	8.0
4	苏海伟		2	3	1.0	1.0
5	杨立斌		2	3	1.0	1.0