基于锗硅BiCMOS工艺的低噪声差分放大器设计

• 作者: 刘萍 刘黎明 张华斌 杨健君 熊召新 王红航 邓春健 陈卉
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 无线局域网 锗硅 BiCMOS 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TN453|TN609
• 语种: 中文

摘要

针对无线局域网前端接收机2.5 GHz的应用,提出了一种硅锗工艺低噪声差分放大器.采用差分级联放大器结构既能抑制输入端的共模噪声信号,又能因级联结构的高增益而抑制电路的噪声,确保电路的高性能;同时选用JAZZ 0.35 μm 1P4M 锗硅BiCMOS工艺来制作.该放大器能有效地提供了50W输入阻抗匹配且具备良好的温度特性.在频点2.5 GHz时,放大器的最大小信号电压增益为29.1 dB,噪声系数1.3 dB,输入/输出回波损耗都优于-11 dB,输入3阶交调点为-0.24 dBm.在直流电源电压3 V供应下,低噪声放大器消耗电流为3.7 mA.仿真结果表明,与其他文献相比,该放大器有更高的电压增益和更低的噪声,可以更加有效地应用于无线局域网及相关频点领域.