原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
介绍一种X波段宽带低噪声放大器(LNA)的设计.该放大器选用NEC公司的低噪声放大管NE3210S01(HJFET),采用微带阻抗变换型匹配结构和两级级联的方式,利用ADS软件进行设计、优化和仿真.最后设计的放大器在10~13 GHZ范围内增益为25.4 dB±0.3 dB,噪声系数小于1.8 dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于1.6.该放大器达到了预定的技术指标,性能良好.
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文献信息
篇名 宽带低噪声放大器ADS仿真与设计
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 低噪声放大器 NE3210S01 噪声系数 匹配结构
年,卷(期) 2010,(14) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 10-13
页数 分类号 TN95
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.14.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭俊栋 中国科学院电子学研究所 9 60 4.0 7.0
2 周以国 中国科学院电子学研究所 12 79 5.0 8.0
3 王峥 中国科学院电子学研究所 19 106 7.0 10.0
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研究主题发展历程
节点文献
低噪声放大器
NE3210S01
噪声系数
匹配结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
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