原文服务方: 杭州电子科技大学学报(自然科学版)       
摘要:
仿真设计了一款 X 波段低噪声放大器( LNA ),选用 NEC 公司的高电子迁移率晶体管NE3210S01,直流偏置电路采用双电源供电,采用低阻抗特性的扇形微带短截线代替旁路电容和3λ/4高阻抗线阻止射频信号对直流的影响,用源极负反馈的方法增加稳定性,并采用微带线耦合的方式达到隔直流的效果,借助 ADS软件进行设计、仿真和优化。仿真结果显示,放大器在9.5 GHz 10.5 GHz频率范围内增益为(24.2±0.5) dB,噪声系数小于0.8 dB,输入、输出驻波比均小于1.5,结果显示该款低噪声放大器适用于雷达系统。
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文献信息
篇名 X波段低噪声放大器的仿真与设计
来源期刊 杭州电子科技大学学报(自然科学版) 学科
关键词 高电子迁移率晶体管 扇形微带短截线 高阻线 噪声 负反馈
年,卷(期) 2015,(4) 所属期刊栏目 应用研究
研究方向 页码范围 11-15
页数 5页 分类号 TN722
字数 语种 中文
DOI 10.13954/j.cnki.hdu.2015.04.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 项铁铭 杭州电子科技大学天线与微波技术研究所 25 84 5.0 7.0
2 王龙龙 杭州电子科技大学天线与微波技术研究所 2 11 2.0 2.0
3 张范琦 杭州电子科技大学天线与微波技术研究所 2 11 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
高电子迁移率晶体管
扇形微带短截线
高阻线
噪声
负反馈
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
杭州电子科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-9146
33-1339/TN
chi
出版文献量(篇)
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