0.35μm SOI CMOS器件建模技术研究

• 作者: 刘佑宝 吴龙胜 唐威 杨立斌 苏海伟
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: SOI 建模 BSIMSOI
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 89-92
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

介绍了SOI技术的优势和器件建模的意义.针对0.35μmSOI CMOS工艺的开发,设计了用于建模的测试芯片.对于SOIMOSFET中存在的自加热等寄生效应设计了参数提取的流程,并设计了相应的测试方法.在得到所需的测试数据后,采用局部优化方法进行参数提取.最后通过模型仿真结果和测试数据的比较证明了建立的0.35μm SOI CMOS模型有较高的精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘佑宝		56	248	9.0	13.0
2	吴龙胜		50	120	6.0	8.0
3	唐威		25	90	6.0	8.0
4	苏海伟		2	3	1.0	1.0
5	杨立斌		2	3	1.0	1.0