0.5μm SOI CMOS器件和电路

• 作者: 刘新宇 吴德馨 孙海峰 海朝和
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 部分耗尽 “浮体”效应 反常亚阈值特性
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 660-663
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2590字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.025

摘要

研究了0.5μm SOI CMOS器件和电路，开发出成套的0.5μm SOI CMOS工艺.经过工艺投片，获得了性能良好的器件和电路，其中当工作电压为3V时，0.5μm 101级环振单级延迟为42ps.同时，对部分耗尽SOI器件特性，如“浮体”效应、“kink”效应和反常亚阈值特性进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
3	孙海峰	中国科学院微电子中心	10	45	4.0	6.0
4	海朝和	中国科学院微电子中心	2	3	1.0	1.0