硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响

• 作者: 吴峻峰 孙宝刚 邵红旭 韩郑生
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: SOI 槽栅MOS器件 短沟道效应 热载流子效应
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.05.009

摘要

SOI技术和槽栅MOS新器件结构是在改善器件特性方面的两大突破,SOI槽栅MOS器件结构能够弥补体硅槽栅MOS器件在驱动能力和亚阈值特性方面的不足,同时也保证了在深亚微米领域的抑制短沟道效应和抗热载流子效应的能力.仿真结果显示硅膜厚度对SOI槽栅MOS器件的阈值电压、亚阈值特性和饱和驱动能力都有较大影响,选择最佳的硅膜厚度是获得较好的器件特性的重要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	孙宝刚	中国科学院微电子研究所	6	8	2.0	2.0
3	吴峻峰	中国科学院微电子研究所	14	43	4.0	5.0
4	邵红旭	中国科学院微电子研究所	4	7	2.0	2.0