总剂量加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响

• 作者: 吴建伟 朱少立 李艳艳 谢儒彬 陈海波 顾祥
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 SOI NMOSFET 总剂量辐射
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 2165字
• 语种: 中文

摘要

采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响.加固在埋氧层中引入电子陷阱,辐射前在正负背栅压扫描时,电子陷阱可以释放和俘获电子,导致背栅阈值电压产生漂移,漂移大小与引入电子陷阱的量有关.通过加固可以有效提高器件的抗总剂量辐射特性,电子陷阱的量对器件的抗辐射性能具有显著影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾祥		9	10	2.0	2.0
2	陈海波		6	13	3.0	3.0
3	吴建伟		25	39	4.0	4.0
4	朱少立		4	5	1.0	2.0
5	谢儒彬		9	22	3.0	4.0
6	李艳艳		4	11	2.0	3.0