抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究

• 作者: 吴建伟 徐政 朱少立 李燕妃 洪根深
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 高压SOI NMOS 背栅效应 总剂量 抗辐射加固
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 1993字
• 语种: 中文

摘要

通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电.通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOI NMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深	中国电子科技集团公司第五十八研究所	33	74	5.0	6.0
2	徐政	中国电子科技集团公司第五十八研究所	14	17	3.0	3.0
3	吴建伟	中国电子科技集团公司第五十八研究所	25	39	4.0	4.0
4	李燕妃	中国电子科技集团公司第五十八研究所	3	7	2.0	2.0
5	朱少立	中国电子科技集团公司第五十八研究所	4	5	1.0	2.0