电子与封装期刊
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
出版周期:
月刊
邮编:
214035
地址:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
出版文献量(篇)
3006
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  • 作者: 杨建伟
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年6期
    页码:  1-5
    摘要: 模塑是半导体封装中十分重要的工艺,不同结构特性的基板型模块对模塑工艺要求也不同.分析了基板型模块直压模塑和注塑模塑的特性及效果,包括模塑外观、翘曲、金丝冲丝以及模塑料的填充性,并对比分析不同...
  • 作者: 严英占 卢会湘 唐小平
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年6期
    页码:  6-8,11
    摘要: 低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现电子设备小型化、高密度集成化的主流技术手段,可适用于耐高温、耐受恶劣环境下的特性要求.介绍了LTCC差分电容式加速度计结构,敏感质量块和4根悬臂梁结构都内嵌...
  • 作者: 刘明峰 王炯异 辛达
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年6期
    页码:  9-11
    摘要: 具体解释了模数转换器的静态参数的定义,包括积分非线性、差分非线性等.阐述了码密度测试原理,在此基础上,设计了一套测试模数转换器静态的测试台方案.
  • 作者: 冯旭东 张宣 张春奇 明鑫 潘溯 胡黎
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年6期
    页码:  12-15,28
    摘要: 介绍了一种应用于GaN驱动的0.35 μm HV CMOS工艺的高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路.该电路采用高速电流镜和双锁存结构,并增加共模抗扰辅助电路,大大提高了传输速度和对共模噪声的...
  • 作者: 何生生 唐鹤 彭传伟
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年6期
    页码:  16-19
    摘要: 随着工艺进程的不断推进,逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的电容失配对整体电路的速度和精度影响越来越大.针对SAR ADC中电容失配的问题,提出一种基于亚稳态检测的SARADC电容失配校...
  • 作者: 周万礼 张有润 张波 甄少伟 章玉飞 胡怀志 路统霄
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年6期
    页码:  20-24
    摘要: 光电探测器是激光雷达的核心器件,通常由雪崩光电二极管(APD)阵列和相应的读出电路组成.跨阻放大器是读出电路的关键部分,其性能在很大程度上决定光电探测组件的性能.基于0.18 μm CMOS...
  • 作者: 侯汇宇 吴庆 李富华 黄君山
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年6期
    页码:  25-28
    摘要: 对带隙基准电压源的温度系数和功耗进行了分析研究,采用与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)的电流加权和技术,同时采用放大器工作在亚阈值区技术及运放失调补偿技术,基于0...
  • 作者: 陈俊飞 陈光华 高博
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年6期
    页码:  29-31,40
    摘要: 为了降低带隙基准电压源的温漂系数,设计了一种采用β倍增器电流源和IPTAT2电流源作为二次曲率补偿技术的超低温漂基准电压源.运用SMIC 0.18 μm工艺,仿真结果表明,在-40~85℃,...
  • 作者: 于庆奎 唐民 唐路平 孙毅 张洪伟 梅博 金鑫
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年6期
    页码:  32-40
    摘要: 利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28 nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律.结果 表明,粒子LET值增大、入射角度的...
  • 作者: 刘承芳 夏云 孙鹏 左慧玲 陈万军 高吴昊
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年6期
    页码:  41-46
    摘要: 通过仿真模拟脉冲激光对半导体器件光生载流子的影响,重点研究纵向NPN三极管(VNPN)的激光辐照效应.光照强度较小时,只有集电结反偏,而发射结处的光生电动势不足以抵消发射结的内建电势,发射结...
  • 作者: 时晓航 章勇佳 陈晓青
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2019年6期
    页码:  47-50
    摘要: 采用内匹配的技术,利用了GaN HEMT功率芯片研制了一款应用在S波段的大脉宽、大功率、高效率的功率放大器.放大器最终实现了1 ms脉宽、30%占空比、在600 MHz的带宽下脉冲输出功率大...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号(208信箱)

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