粒子入射条件对28nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究

• 作者: 于庆奎 唐民 唐路平 孙毅 张洪伟 梅博 金鑫
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 器件仿真 28nm 单粒子效应 电荷共享 多位翻转
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 32-40
• 页数: 9页
• 分类号: TN306
• 字数: 6338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0609

摘要

利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28 nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共享的影响规律.结果 表明,粒子LET值增大、入射角度的增大、器件间距的减小和浅槽隔离(STI)深度的减少都会增加相邻器件的电荷收集,增强电荷共享效应,影响器件敏感节点产生的瞬态电流大小;SRAM单元内不同敏感节点的翻转阈值不同,粒子LET值和入射角度的改变会对SRAM单元的单粒子翻转造成影响;LET值和粒子入射位置变化时,多个SRAM单元发生的单粒子多位翻转的位数和位置也会变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张洪伟	中国空间技术研究院宇航物资保障事业部	9	42	4.0	6.0
2	金鑫	中国空间技术研究院宇航物资保障事业部	2	0	0.0	0.0
3	唐民	中国空间技术研究院宇航物资保障事业部	14	65	5.0	7.0
4	于庆奎	中国空间技术研究院宇航物资保障事业部	14	65	5.0	7.0
5	梅博	中国空间技术研究院宇航物资保障事业部	2	0	0.0	0.0
6	孙毅	中国空间技术研究院宇航物资保障事业部	8	21	2.0	4.0
7	唐路平		1	0	0.0	0.0