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电子与封装期刊
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
出版周期：
月刊
邮编：
214035
地址：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543
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  • 1. 助焊剂残留对底部填充粘接强度的影响
    作者： 李菁萱 林鹏荣 练滨浩 黄颖卓
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年1期
    页码:  1-3
    摘要： 随着封装工艺的不断发展,芯片I/O数越来越多,高密度芯片封装必须采用倒装焊的形式.底部填充作为芯片倒装焊封装后的加固工艺,填充胶与倒装焊使用的助焊剂的兼容性对于研究倒装焊电路的长期可靠性至关...
  • 2. 芯片铝焊盘上不同金属丝键合质量研究
    作者： 施保球 杨建伟 梁大钟 韩香广
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年1期
    页码:  4-8,36
    摘要： 金属键合丝是半导体封装中非常关键的材料,它直接影响到键合的工艺表现和互连的可靠性.以不同金属丝(金丝、钯铜丝、金钯铜丝、银丝)和芯片铝焊盘第一焊点的键合为研究对象,分析对比各金属丝作为键合丝...
  • 3. 老炼板不良的引入与检查
    作者： 宋均 邵振宇 郁骏
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年1期
    页码:  9-12,27
    摘要： 老炼、寿命试验作为元器件筛选、考核鉴定过程中不可缺少的一项,老炼板的可靠性是决定试验结果的重要因素.焊接作为老炼板组装过程的重要环节,焊接的质量直接关系到老炼板在整个试验过程中的可靠性和稳定...
  • 4. COT模式下内置纹波补偿技术的Buck变换器
    作者： 夏剑平 徐勤媛 王彬 黄堃
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年1期
    页码:  13-17
    摘要： 当输出旁路电容为陶瓷电容等低等效串联电阻(equivalent series resistance,ESR)电容时,传统固定导通时间(constant on-time,COT)模式下的同步降...
  • 5. 一种基于厚膜工艺的电流采集电路设计
    作者： 倪春晓 赵国清
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年1期
    页码:  18-22
    摘要： 目前国内星载供配电系统中,通常采用印制线路板技术实现对供配电母线电流的采集与输出,该技术虽然应用广泛,但在当今小型化趋势的推动下,显然已经不能满足星载供配电系统对小型化、轻量化的需求.针对上...
  • 6. 一种用于1.25Gbps光接收机的跨阻放大器设计
    作者： 任军 刘浩 尹浩 郑薇
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年1期
    页码:  23-27
    摘要： 给出了一种用于1.25 Gbps光接收机的跨阻放大器(TIA,Transfer Impedance Amplifier)设计.该TIA采用电阻并联反馈形式.为保证TIA在PVT (Proce...
  • 7. 一种高精度RC振荡器的设计
    作者： 宣志斌 葛兴杰 邓玉清
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年1期
    页码:  28-31
    摘要： 提出了一种基于CSMC 0.25 μm CMOS工艺、输出高精度方波信号的低成本RC振荡器.采用正负温度系数电阻的线性叠加,产生不受温度影响的充电电流,消除了温度对精度的影响.增加修调电容,...
  • 8. 基于HDL任务的SWD协议实现与仿真
    作者： 史兴强 鲍宜鹏
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年1期
    页码:  32-36
    摘要： MCU芯片一般都使用JTAG作为调试接口,但JTAG至少要占用4个引脚,而SWD(Serial wire debugger)只占用2个引脚,适合封装引脚数较少的芯片.由于SWD是串行的,数据...
  • 9. 基于0.13μm工艺的1.5V低功耗MOSFET器件设计
    作者： 王鷁奇
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年1期
    页码:  37-40
    摘要： 针对0.13 μm工艺常规MOSFET器件的制备流程进行了分析,提出了低功耗工艺改善方法,并针对优化工艺条件下的器件进行TCAD仿真,设计并进行了完整的DOE实验及样品性能测试.测试结果表明...
  • 10. 抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究
    作者： 刘国柱 吴建伟 徐政 徐海铭 洪根深
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年1期
    页码:  41-43,47
    摘要： 研究了抗辐射高压SOI埋氧总剂量加固技术,发现在总剂量辐射条件下不同埋氧加固工艺背栅阈值变化的情况.通过增加埋氧加固技术可以有效地抑制总剂量辐射环境下对高压器件的调制效应.
  • 11. 一种电路的静态损伤机理分析
    作者： 肖培磊 阮建新
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2019年1期
    页码:  44-47
    摘要： 介绍了电路静态电荷放电的三种模型,并对组件充电模型进行了详细介绍.对电路的失效现象进行分析,失效原因在于电路在组件充电模型下抗静态电荷损伤能力较弱,并提出了新的防电路静态损伤结构来解决组件充...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

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