基于0.13μm工艺的1.5V低功耗MOSFET器件设计

• 作者: 王鷁奇
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET器件 低功耗 漏电性能
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2760字
• 语种: 中文

摘要

针对0.13 μm工艺常规MOSFET器件的制备流程进行了分析,提出了低功耗工艺改善方法,并针对优化工艺条件下的器件进行TCAD仿真,设计并进行了完整的DOE实验及样品性能测试.测试结果表明,通过调整轻掺杂漏区(LDD)的离子注入条件,冠状离子注入区的角度、浓度以及沟道阀值电压离子注入区浓度等一系列方法,实现了0.13 μm工艺1.5VMOSFET器件关断条件下漏电流低于l pA/μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鷁奇		1	0	0.0	0.0