基于0.13 μm工艺的低于1 V带隙基准电压源设计

• 作者: 徐晨 施敏 王强 郭迎冬
• 来源期刊: 南通大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准电压源 基准电压 CMOS模拟电路 版图设计
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 1942字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2340.2008.01.008

摘要

采用GSMC 0.13 μm CMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源.仿真结果表明.该电路可以在0.9～1.5 V电源电压下工作,输出的基准电压可以稳定在约0.708 V,温度在0～60℃之间时.温度系数不超过44 ppm/K,电源抑制比为66 dB,最大功耗小于0.5 μW.基于GSMC0.13 μmlP8M CMOS工艺几何设计规则实现了其版图.版图面积约为0.2 min×0.15 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晨	南通大学电子信息学院	82	518	13.0	16.0
2	王强	南通大学电子信息学院	60	132	6.0	8.0
3	施敏	南通大学电子信息学院	34	78	5.0	7.0
4	郭迎冬	南通大学电子信息学院	1	1	1.0	1.0