一种CMOS带隙基准电压源设计

• 作者: 王峰 闫卫平
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: CMOS 带隙基准 低温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 4-5,8
• 页数: 3页
• 分类号: TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.04.002

摘要

为了满足IC设计中对基准电源低功耗、低温度系数、高电源抑制比的要求,设计一种带隙基准电压源电路.在对传统带隙基准结构分析的基础上,该电路重点改善基准源中运算放大器的性能,采用台积电0.35μm CMOS工艺库设计并绘制版图.仿真结果表明,温度在0～100℃之间变化时,该电路输出电压的温度系数小于10 ppm/℃,并且具有低功耗、高电源抑制比的特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫卫平	大连理工大学微电子研究所	57	328	9.0	14.0
2	王峰	大连理工大学微电子研究所	22	128	6.0	11.0