原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
设计了一种二阶温度补偿带隙基准源,为了提高电源抑制比,设计中采用了与全局电压保持相对无关的局部电压作为带隙核心的工作电压,并且使用PN结串联的结构,以减小运放失调电压的影响.整个电路采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺实现,使用HSpice仿真器进行仿真,仿真结果证明此基准电压源具有很高的电源电压抑制比和较低的温度系数.
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一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计
带隙基准源
温度系数
动态反馈补偿
CMOS
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低压
正温度系数
负温度系数
电源抑制比
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一种高精度高电源抑制的CMOS带隙基准
带隙基准
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温度系数
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种高精度的CMOS带隙基准源
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 带隙基准 温度补偿 温度系数 电源抑制 失调电压
年,卷(期) 2007,(16) 所属期刊栏目 数字/模拟电路
研究方向 页码范围 190-192
页数 3页 分类号 TN431
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.16.064
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐斌富 武汉大学物理科学与技术学院 12 83 5.0 8.0
2 沈少武 武汉大学物理科学与技术学院 4 45 3.0 4.0
3 程仕意 武汉大学物理科学与技术学院 2 17 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准
温度补偿
温度系数
电源抑制
失调电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
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