一种高精度的CMOS带隙基准源

• 作者: 徐斌富 沈少武 程仕意
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 带隙基准 温度补偿 温度系数 电源抑制 失调电压
• 年，卷（期）: 2007,（16）
• 所属期刊栏目: 数字/模拟电路
• 页码范围: 190-192
• 页数: 3页
• 分类号: TN431
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.16.064

摘要

设计了一种二阶温度补偿带隙基准源,为了提高电源抑制比,设计中采用了与全局电压保持相对无关的局部电压作为带隙核心的工作电压,并且使用PN结串联的结构,以减小运放失调电压的影响.整个电路采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺实现,使用HSpice仿真器进行仿真,仿真结果证明此基准电压源具有很高的电源电压抑制比和较低的温度系数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐斌富	武汉大学物理科学与技术学院	12	83	5.0	8.0
2	沈少武	武汉大学物理科学与技术学院	4	45	3.0	4.0
3	程仕意	武汉大学物理科学与技术学院	2	17	1.0	2.0