一种改进的高精度BiCMOS带隙基准源的设计

• 作者: 刘三清 张兢 林映嫣 沈绪榜
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 带隙基准 BiCMOS 商精度 温度系数
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 页码范围: 217-220
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.12.062

摘要

在对传统带隙基准源的误差进行分析的基础上,介绍了一种改进的带隙核结构,该结构能有效抑制电流失配对带隙基准电压带来的影响.根据该结构设计了一种高精度BiCMOS带隙基准源.HSPICE仿真结果表明,该带隙基准源产生1.22V基准电压,在-25℃～+125℃温度范围内具有3.1×10-6/℃的温度系数.在25℃时和3.6v标准电源电压条件下,电源抑制比达76dB,静态工作电流为6.9μA,在2.7V～6V的电源电压范围内线性调整率为0.142mW/V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈绪榜	华中科技大学图像识别与人工智能研究所	50	293	9.0	14.0
2	刘三清	华中科技大学电子科学与技术系	31	279	10.0	15.0
3	张兢	华中科技大学图像识别与人工智能研究所	3	22	2.0	3.0
4	林映嫣	华中科技大学电子科学与技术系	2	9	1.0	2.0