原文服务方: 杭州电子科技大学学报(自然科学版)       
摘要:
根据当前集成电路设计中对基准电压源的低功耗、高电源调整率、高电源抑制比的要求,设计了一种CMOS工艺下的高精度自偏置带隙基准电压源.该电压源由自身直流通路上的电阻来实现电压自偏置,由三级共源共栅电压偏置来实现电流匹配和电压均衡,静态电流约为13μA,具有31ppm/℃的低温度系数、22.7μV/V的高电源调整率和93.7 dB的高电源抑制比.
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HSpice
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种高精度自偏置带隙基准电压源的设计
来源期刊 杭州电子科技大学学报(自然科学版) 学科
关键词 带隙基准 共源共栅 温度系数 电源抑制
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 5-8
页数 4页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-9146.2007.03.002
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作者信息
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1 周伟江 1 5 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准
共源共栅
温度系数
电源抑制
研究起点
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期刊影响力
杭州电子科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-9146
33-1339/TN
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