一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源

• 作者: 吴旭 季惠才 王镇道 陈迪平 黄嵩人
• 来源期刊: 湖南大学学报（自然科学版）
• 关键词: 带隙基准电压源 低压 正温度系数 负温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 机电工程
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生△Vbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8 ppm/℃,电源抑制比达到-130 dB,并成功运用于16位高速ADC芯片中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈迪平	湖南大学物理与微电子科学学院	56	273	9.0	13.0
2	王镇道	湖南大学物理与微电子科学学院	40	173	8.0	11.0
3	季惠才		18	68	4.0	7.0
4	黄嵩人		14	55	3.0	7.0
5	吴旭	湖南大学物理与微电子科学学院	6	22	3.0	4.0