一种高精度高电源抑制的CMOS带隙基准

• 作者: 何一卿 郑方 郭璐
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 带隙基准 电源抑制比 温度系数
• 年，卷（期）: 2007,（19）
• 所属期刊栏目: 电源技术
• 页码范围: 222-223,177
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2007.19.089

摘要

本文介绍了一种高精度高电源抑制的CMOS带隙电压基准,电源电压3V.该电路的实现是基于0.6um 5V的CMOS工艺.为了达到较高的精度和电源抑制比,电路中采用了一个PMOS电流源做调整管,以保证基准核的电流恒定.仿真结果表明,该基准电路在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-40℃至120℃.时,温度系数只有3.5ppm,输出电压误差为0.65mV.