一种高电源抑制比带隙基准源

• 作者: 周志兴 姜宇 来强涛 王成龙 郭桂良 郭江飞 陈腾
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 带隙基准源 电源抑制比 稳压电路
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 页码范围: 1-4,9
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种高电源抑制比的带隙基准电路.本文采用改进的威尔逊电流镜结构和负反馈技术设计了一种新型的稳压电路,为带隙基准提供电源和偏置,实现了高电源抑制比.结果表明,在-40℃～150℃温度范围、3.5V～6 V的电源电压范围内,该带隙基准的温度系数为15 ppm/℃.带隙基准源的电源抑制比在直流处和1 kHz处分别为-125 dB、-106 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王成龙	中国科学院大学微电子学院	22	291	7.0	17.0
2	郭桂良	中国科学院微电子研究所	37	106	6.0	7.0
3	姜宇	中国科学院微电子研究所	9	77	4.0	8.0
4	来强涛	中国科学院微电子研究所	9	27	4.0	4.0
5	周志兴	中国科学院微电子研究所	3	8	2.0	2.0
9	郭江飞	中国科学院微电子研究所	4	8	2.0	2.0
10	陈腾	中国科学院微电子研究所	4	4	1.0	2.0