低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计

• 作者: 刘利辉 晏敏 曾健平 田涛
• 来源期刊: 湖南大学学报（自然科学版）
• 关键词: CMOS集成电路 低功耗 共源共栅电流镜 高电压源抑制比 带隙基准
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 机电工程
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-2472.2005.05.008

摘要

基于Ahujia基准电压发生器设计了低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;其次是采用了带隙温度补偿技术.使用CSMC标准0.6 μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示,当温度和电源电压变化范围为-50～150 ℃和4.5～5.5 V时,输出基准电压变化小于1.6 mV(6.2×10-6/℃)和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾健平	湖南大学应用物理系	90	672	12.0	22.0
2	晏敏	湖南大学应用物理系	61	635	13.0	23.0
3	田涛	湖南大学应用物理系	9	72	6.0	8.0
4	刘利辉	湖南大学应用物理系	9	39	4.0	5.0