一种低功耗亚阈值CMOS带隙基准电压源

• 作者: 李建成 邢小明 郑礼辉
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 低功耗 低温度系数 亚阈值 CMOS
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 页码范围: 151-154,158
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

提出了一种新型的低功耗亚阈值型CM OS带隙基准电压电路．该电路在不增加工作电源电压的情况下具有低功耗、低温度系数和高可靠性的优越性能，采用TSMC 0．18μm工艺仿真实现．该设计电路由MOS管、双极型晶体管和电阻组成，并且所有M OS管均工作在亚阈值状态，从而实现了较低的功耗．该带隙基准电压源的工作电压为1．1V，输出电压0．59V，消耗功耗约为68nW，在0．8～3V电压下均能稳定工作．在电源电压为1．1V和－40～80℃的工作温度下，电压基准的温度系数为14．8×10－6／℃，具有优良的温度稳定性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建成	国防科技大学电子科学与工程学院	19	157	7.0	12.0
2	邢小明	国防科技大学电子科学与工程学院	1	10	1.0	1.0
3	郑礼辉	国防科技大学电子科学与工程学院	1	10	1.0	1.0