一种新型的CMOS亚阈值低功耗基准电压源

• 作者: 孙宇 肖立伊
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: CMOS 亚阈值 低电压 低功耗 基准电压源
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 51-56,60
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

利用工作于亚阈值的NMOS器件，产生两个负温度系数的电压源，然后将两个电压源作差，产生稳定的基准电压输出．整体电路采用HJTC180nm标准CMOS工艺实现．仿真结果表明，基准源输出电压为220mV，在-25℃到100。C的温度范围内的温度系数为68×10^-6／℃．电路的最小供电电压可低至0．7V，在供电电压0．7-4V范围内的线性调整率为1．5mV／V．无滤波电容时，1kHz的电源抑制比为-56dB．室温下，1.0V电压供电时，电路总体功耗为3．7μw．版图设计后的芯片核心面积为0．02mm^2．本文设计的电压源适用于低电压低功耗的条件．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖立伊	哈尔滨工业大学微电子学与固体电子学中心	39	247	9.0	13.0
2	孙宇	哈尔滨工业大学微电子学与固体电子学中心	28	79	5.0	8.0