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一种低功耗高电源抑制比亚阈值基准电压源
一种低功耗高电源抑制比亚阈值基准电压源
作者:
刘胜
吴晓波
杨艺丹
董阳涛
赵梦恋
原文服务方:
微电子学与计算机
低功耗
高电源抑制比
亚阈值
共栅极自级联电流镜
摘要:
本文针对传统带隙基准功耗高、电源抑制比低的问题,提出了一种适用于能量采集、无线传感网络等的低功耗、高电源抑制比和宽电源电压范围的亚阈值基准电压源.该基准源通过采用非对称共栅极自级联电流镜结构结合负反馈提高了电压源的电源抑制比和线性调整率.电路采用Global Foundry 0.18μm BCD工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围为2.7~5.5V,输出电压为1.2V,功耗最低可达446.2 nW;在3.3V电源电压下、-40~125℃的温度范围内,温度系数为30.3 ppm;室温下线性调整率低至0.013%/V;在100 Hz处电源抑制比为-75 dB.
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低功耗
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低功耗
共源共栅电流镜
高电压源抑制比
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一种低功耗高PSRR的基准电压源
高电源抑制比
低功耗
基准电路
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文献信息
篇名
一种低功耗高电源抑制比亚阈值基准电压源
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
低功耗
高电源抑制比
亚阈值
共栅极自级联电流镜
年,卷(期)
2018,(8)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
109-112,116
页数
5页
分类号
TN402
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
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被引次数
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G指数
1
吴晓波
浙江大学超大规模集成电路设计研究所
328
6672
45.0
70.0
2
赵梦恋
浙江大学超大规模集成电路设计研究所
34
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10.0
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3
刘胜
浙江大学超大规模集成电路设计研究所
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7
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2.0
4
董阳涛
浙江大学超大规模集成电路设计研究所
3
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杨艺丹
浙江大学超大规模集成电路设计研究所
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研究主题发展历程
节点文献
低功耗
高电源抑制比
亚阈值
共栅极自级联电流镜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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