一种消除体效应的纳瓦量级全CMOS基准电压源

• 作者: 徐卫林 段吉海 邓东宇 韦保林
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 电压基准 极低功耗 无电阻 无Bipolar晶体管
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 152-156
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

提出了一种全部采用MOSFET构成的极低功耗基准电压源．电路由一个结构新颖的纳安量级基准电流源和温度补偿电路构成；利用CMOS源极耦合差分对代替了传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管，减小了功耗和芯片面积，消除了M OS管体效应对电路的影响．采用SM IC 0．18μm CM OS工艺进行电路设计和仿真，结果表明，电路的温度系数为90，芯片面积0．006，功耗仅为54 nW ．该电路适用于低功耗移动电子设备．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段吉海	桂林电子科技大学信息与通信学院	87	272	7.0	11.0
2	韦保林	桂林电子科技大学信息与通信学院	47	97	4.0	7.0
3	徐卫林	桂林电子科技大学信息与通信学院	55	133	5.0	9.0
4	邓东宇	桂林电子科技大学信息与通信学院	1	2	1.0	1.0