原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
文章介绍了一种0.35μm工艺制作的能隙基准电压源电路.该电路具有高电压抑制比、低温度系数、抗失配的特点.该电路能被广泛的应用到一些精密集成电路中.
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一种CMOS带隙基准电压源设计
CMOS
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电源抑制
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锁相环
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种高性能CMOS能隙基准电压源电路设计
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 温度系数 能隙电压源 失配
年,卷(期) 2003,(8) 所属期刊栏目 微电子技术
研究方向 页码范围 161-162,166
页数 3页 分类号 TN4
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-7180.2003.08.045
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邹雪城 310 2261 21.0 31.0
2 孟超 3 34 2.0 3.0
3 孟波 2 31 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
温度系数
能隙电压源
失配
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
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总被引数(次)
59060
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