一种高性能CMOS带隙电路的设计

• 作者: 杨丰林 沈绪榜
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 带隙电路 CMOS 锁相环
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 46-47
• 页数: 2页
• 分类号: TP311
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2002.12.015

摘要

文章提出一种CMOS带隙参考源(BGR)电路设计,它可以在很宽的电压范围内有效的工作.能够在[2.8V,10V]范围内实现稳定工作.抗干扰能力强,结构相对简单,由CMOS运放、二极管以及电阻组成,用常规的0.6umCMOS工艺制作.在模拟环境下仿真结果表明其最小工作电压为2.75V,完全能够满足锁相环设计的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈绪榜		152	962	15.0	25.0
2	杨丰林	华中科技大学图象信息处理与智能控制教育部重点实验室	2	5	1.0	2.0