一种高性能CMOS能隙电压参考源的设计

• 作者: 周玉梅 薛庆华
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: CMOS工艺 能隙电压源 曲率校正 温度系数 带隙电压
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TN7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2003.10.012

摘要

本文介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源.本电路采用温度补偿,从而使设计得到了简化.采用2μ mp阱CMOS工艺模型模拟分析可以发现该参考源在温度0℃～100℃范围内能够有较好的温度特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周玉梅	中科院微电子中心	5	20	3.0	4.0
2	薛庆华	中科院微电子中心	1	6	1.0	1.0