一种CMOS低电压精准带隙参考源

• 作者: 刘晓宁 喻明艳 石颖伟 韩良
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: CMOS 低电压 带隙参考源 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 页码范围: 202-205
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.12.058

摘要

基于CMOS电流模式,设计一个可以工作在1V电源电压的低电压带隙参考源.采用0.18μm CMOS工艺模型的仿真结果表明,温度在-20℃～80℃围内,其温度系数小于10ppm/℃,电源抑制比大于-64dB.芯片面积为53μm×44μm.