一种基于横向PNP管的低失调CMOS带隙基准源

• 作者: 王宗民 蔡伟 陆铁军
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 带隙基准 横向PNP管 失调电压 电流失配
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 页码范围: 156-159
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.07.045

摘要

基于横向寄生PNP管,提出了一种新颖结构的低失调CMOS带隙基准源.该带隙能够降低运放失调电压和镜像电流对基准电压的影响,提高带隙抗工艺失调的能力.仿真结果表明,基准电压为1.228 0V,在-40 ℃～125 ℃,典型偏差小于2.7mV,温度系数为13.9ppm/℃.该带隙具有较好的工艺稳定性,在各工艺角情况下,失调电压小于±25.3mV,比传统带隙相对精度提高了3.3倍.最后,基于0.35 μm CMOS工艺实现了该电压基准源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宗民		24	116	7.0	9.0
2	陆铁军		23	113	6.0	9.0
3	蔡伟		7	45	4.0	6.0