一种低电压的CMOS带隙基准源

• 作者: 朱云涛 谢毅 邵丙铣
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 带隙基准源 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 110-113,127
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.05.027

摘要

设计了一种用于集成电路内部的带隙基准源,采用了1.0V/0.18μm CMOS工艺.该电路利用电阻分压和高阶温度补偿,达到降低温度率数的目的,并具有好的电源抑制比.SPICE仿真结果表明,在0℃～100℃范围内度可达到18ppm/℃,其电源抑制比可达到62dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢毅	复旦大学国家微分析中心	112	843	16.0	24.0
2	邵丙铣	复旦大学国家微分析中心	41	234	10.0	13.0
3	朱云涛	复旦大学国家微分析中心	3	32	3.0	3.0