一种低压低温漂的CMOS带隙基准源

• 作者: 吴玉广 唐华 张上洋 肖明
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 带隙基准源 曲率校正 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2006,（32）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 304-306
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2006.32.105

摘要

基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源.使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温度系数约2 ppm/℃,工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源.该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中.