一种低压I2PTAT曲率校正CMOS带隙基准源的设计

• 作者: 何凤琴 吴玉广 肖明
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 带隙基准源 曲率校正 温度系数
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 85-87
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.03.023

摘要

基于Chrt 0.35μm CMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,设计了一个类似I2PTAT电流产生电路,获得了一个电路结构简单,性能更佳的带隙基准源.经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-110范围内,平均温度系数约6ppm/℃,最低工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源.该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴玉广	西安电子科技大学微电子所	46	226	8.0	13.0
2	肖明	西安电子科技大学微电子所	3	13	3.0	3.0
3	何凤琴	西安电子科技大学微电子所	5	8	2.0	2.0