一种CMOS低压带隙基准电路的分析与设计

• 作者: 吴金 姚建楠 黄晶生
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 带隙基准 电流模式 PPAT
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 页码范围: 81-83
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.11.024

摘要

不同于常规电压求和带隙基准,电流求和是实现低压基准的主要方法.文章重点分析了一种负温度系数电流的生成方法,基于电流求和模式,设计了一种简单且无运放的电压基准结构,其输出最大基准值为1.1V,功耗为7μA.