基于CMOS的低功耗基准电路的设计

• 作者: 童乔凌 童志强 邹雪城
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 亚阈值区 CMOS工艺 低功耗 带隙基准 温度系数
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 80-82
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.04.024

摘要

基于带隙基准的原理,采用0.6μm、N阱CMOS工艺,文章设计了一种工作在亚阈值区的用于锂离子和锂聚合物电池充电保护芯片的低功耗基准电路.Hspice仿真结果表明:基准电压为1.068V,电源电压由1.8V到8V变化,电路最大消耗电流小于0.15μA;温度由-40℃到80℃变化,其温度系数约为±10ppm/℃.整个充电保护芯片测试结果,其功耗小于0.6μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	童乔凌	华中科技大学电子科学与技术系	28	106	7.0	8.0
3	童志强	华中科技大学电子科学与技术系	2	13	1.0	2.0