原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
提出了一种电路结构简单的分段线性补偿方法,不同分段子区间复用一个PTAT电路架构,通过调节外都增加的较少其它电路参数来实现多个补偿电漉,采用该复用方法,增加一次分段区问,仅需增加5个MOS管、一个BJT和一个电阻,与一般的分段线性补偿电路相比,所需的MOS器件和BJT器件大大减少了,易于扩展,将该电路应用于一款Boost升压芯片的带隙基准源中,在-40~120℃的温度区间分三个子区间进行线性补偿,采用JAZZBCD05 2P3M BiCMOS工艺实现,仿真结果表明,在整个温度范围,温漂可达到5.85×10-7/℃,实现了很高的精度.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种高精度易扩展的分段线性补偿带隙基准源
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 带隙基准 分段线性补偿 温漂系数
年,卷(期) 2008,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 33-36
页数 4页 分类号 TN452
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邹雪城 华中科技大学电子科学与技术系 310 2261 21.0 31.0
2 郑朝霞 华中科技大学电子科学与技术系 33 235 9.0 13.0
3 邵超 华中科技大学电子科学与技术系 1 5 1.0 1.0
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带隙基准
分段线性补偿
温漂系数
研究起点
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
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59060
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