一个1.2 V,9 ppm/℃的CMOS带隙电压基准源

• 作者: 卢杨 周浩 张波 钟昌贤
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: CMOS 衬底驱动 低压 曲率补偿 电压基准源
• 年，卷（期）: 2006,（16）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 120-122,125
• 页数: 4页
• 分类号: TN702
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2006.16.043

摘要

基于传统CMOS带隙电压基准源电路的分析,结合曲率补偿技术设计了一种带衬底驱动运算放大器的低电源电压的电压基准源电路,主体电路采用电流模式基准源结构,并结合所采用的衬底驱动运放作为基准源的负反馈运放.整个电路采用0.5 μm标准CMOS工艺实现,在电源电压1.2 V的条件下用HSpice进行仿真,仿真结果表明输出基准电压在-40～120 ℃范围内温度系数为9 ppm/℃.