中子单粒子效应TCAD仿真

• 作者: 代刚 李顺 梁堃 解磊
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 中子 单粒子效应 随机静态存储器 双互锁存储单元
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 193-198
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 2539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.084002

摘要

分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布.根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65 nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果.结果显示,商用6管单元难以避免中子单粒子效应的发生.双互锁存储单元(DICE)结构在高密度设计时,也由于电荷共享效应,发生了单粒子翻转.由于电荷共享效应难以用SPICE仿真的方法得到,TCAD仿真更适用于中子单粒子免疫的SRAM设计验证.最后,讨论了65 nm工艺下,中子单粒子免疫的SRAM设计,指出6管单元加电容的方式,可能是更有竞争力的方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李顺	中国工程物理研究院电子工程研究所	11	40	4.0	6.0
2	代刚	中国工程物理研究院电子工程研究所	12	63	4.0	7.0
3	解磊	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	11	2.0	3.0
4	梁堃	中国工程物理研究院电子工程研究所	6	21	2.0	4.0