FPGA大气中子辐射效应仿真研究?

• 作者: 常成 梅亮 赵鹏
• 来源期刊: 计算机与数字工程
• 学科: 工学
• 关键词: FPGA SRAM 电路仿真
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 专栏·微电子计量测试
• 页码范围: 74-78
• 页数: 5页
• 分类号: TN40
• 字数: 1828字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9722.2019.01.019

摘要

论文开展FPGA大气中子辐射效应仿真研究,通过分析FPGA尤其是SRAM型FPGA在临近空间内的运行环境,发现其容易受到临近空间中大气中子的辐射影响,发生单粒子翻转.造成这一现象的主要原因在于,SRAM型FPGA内部存储单元中的NMOS管受大气中子辐射影响,其漏极产生瞬态电流脉冲,进而影响整个FPGA的功能.《NMOS大气中子辐射效应研究》通过TCAD仿真软件,得出不同能量大气中子以及不同尺寸NMOS管等情况下,NMOS管漏极产生的漏极瞬态脉冲电流,论文利用该仿真结果,进行SRAM存储单元的电路仿真分析,得出FPGA受大气中子辐射发生单粒子翻转主要影响因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梅亮		5	18	2.0	4.0
2	常成		3	0	0.0	0.0
3	赵鹏		2	0	0.0	0.0