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摘要:
为解决传统集成电路抗单粒子加固设计中存在的不足,利用TCAD及SPICE软件,探索出一种单粒子效应仿真与电路抗辐射加固设计相结合的方法.该方法通过TCAD软件的器件建模、仿真单粒子效应对器件的影响,得出器件在单粒子辐射条件下的3个关键参数.利用SPICE软件将此参数转化为模拟单粒子效应的扰动源,进而指导电路抗单粒子效应的加固设计工作.通过对一款SRAM的加固设计及辐射试验对比,证明了该方法的正确性和有效性,同时也为以后单粒子效应设计加固提供了依据.
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文献信息
篇名 TCAD结合SPICE的单粒子效应仿真方法
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 辐射加固 单粒子效应 辐射效应仿真
年,卷(期) 2019,(4) 所属期刊栏目 微电子制造与可靠性
研究方向 页码范围 32-35,48
页数 5页 分类号 TN406
字数 2257字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周昕杰 中国电子科技集团公司第五十八研究所 13 24 3.0 3.0
2 陈瑶 中国电子科技集团公司第五十八研究所 4 4 1.0 1.0
3 花正勇 中国电子科技集团公司第五十八研究所 2 2 1.0 1.0
4 殷亚楠 中国电子科技集团公司第五十八研究所 2 2 1.0 1.0
5 郭刚 中国原子能科学研究院抗辐射应用技术创新中心 34 65 4.0 7.0
6 蔡丽 中国原子能科学研究院抗辐射应用技术创新中心 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
辐射加固
单粒子效应
辐射效应仿真
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
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24
总被引数(次)
9543
论文1v1指导