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TCAD结合SPICE的单粒子效应仿真方法
TCAD结合SPICE的单粒子效应仿真方法
作者:
周昕杰
殷亚楠
花正勇
蔡丽
郭刚
陈瑶
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
辐射加固
单粒子效应
辐射效应仿真
摘要:
为解决传统集成电路抗单粒子加固设计中存在的不足,利用TCAD及SPICE软件,探索出一种单粒子效应仿真与电路抗辐射加固设计相结合的方法.该方法通过TCAD软件的器件建模、仿真单粒子效应对器件的影响,得出器件在单粒子辐射条件下的3个关键参数.利用SPICE软件将此参数转化为模拟单粒子效应的扰动源,进而指导电路抗单粒子效应的加固设计工作.通过对一款SRAM的加固设计及辐射试验对比,证明了该方法的正确性和有效性,同时也为以后单粒子效应设计加固提供了依据.
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TCAD
单粒子效应
缓冲
上拉补偿
粒子入射条件对28nm SRAM单元单粒子电荷共享效应影响的TCAD仿真研究
器件仿真
28nm
单粒子效应
电荷共享
多位翻转
内容分析
文献信息
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相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
TCAD结合SPICE的单粒子效应仿真方法
来源期刊
电子与封装
学科
工学
关键词
辐射加固
单粒子效应
辐射效应仿真
年,卷(期)
2019,(4)
所属期刊栏目
微电子制造与可靠性
研究方向
页码范围
32-35,48
页数
5页
分类号
TN406
字数
2257字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
周昕杰
中国电子科技集团公司第五十八研究所
13
24
3.0
3.0
2
陈瑶
中国电子科技集团公司第五十八研究所
4
4
1.0
1.0
3
花正勇
中国电子科技集团公司第五十八研究所
2
2
1.0
1.0
4
殷亚楠
中国电子科技集团公司第五十八研究所
2
2
1.0
1.0
5
郭刚
中国原子能科学研究院抗辐射应用技术创新中心
34
65
4.0
7.0
6
蔡丽
中国原子能科学研究院抗辐射应用技术创新中心
1
2
1.0
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2020(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
辐射加固
单粒子效应
辐射效应仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
开本:
大16开
出版地:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
邮发代号:
创刊时间:
2002
语种:
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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