用252Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法

• 作者: 唐本奇 杨海亮 王燕萍 耿斌 贺朝会 陈晓华
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 功率MOS器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 339-343
• 页数: 5页
• 分类号: TN99
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.04.009

摘要

建立了252Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应的实验方法和测试装置,并利用该装置进行了功率MOS场效应晶体管的SEB、SEGR效应研究,给出了被测试器件SEB、SEGR效应的损伤阈值.结果表明,该测试系统和实验方法是可行、可靠的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐本奇		32	248	9.0	13.0
2	杨海亮		35	262	9.0	14.0
3	王燕萍		11	66	6.0	7.0
4	耿斌		10	60	6.0	7.0
5	陈晓华		11	87	6.0	9.0
6	贺朝会		16	193	8.0	13.0