星用功率 MOSFET 器件单粒子烧毁试验研究

• 作者: 刘刚 曹洲 杨世宇 田恺 蔡小五 薛玉雄 陆江
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 功率MOSFET器件 单粒子烧毁 锎源
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1125-1129
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文

摘要

针对国产功率MOSFET器件JTMCS081和JTMCS062,利用实验室的MOSFET器件单粒子烧毁试验测试系统,在252 Cf 模拟系统上开展了单粒子烧毁评估试验研究.通过试验研究获得了被试器件单粒子烧毁的电压阈值,为被测器件在卫星型号的使用提供技术参考依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
2	薛玉雄	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	20	181	9.0	12.0
3	曹洲	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	19	181	9.0	12.0
4	杨世宇	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	17	161	9.0	11.0
5	田恺	兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室	15	120	7.0	10.0
6	蔡小五	中国科学院微电子研究所	15	38	4.0	5.0
7	陆江		1	6	1.0	1.0