MOSFET功率管器件单粒子烧毁效应(SEB)截面测量

• 作者: 刘建成 曹洲 李志常 李淑媛 杨世宇
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 高剥离态 单粒子烧毁 注量率
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 快报
• 页码范围: 395-398
• 页数: 4页
• 分类号: TL817.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2004.05.003

摘要

对MOSFET功率管进行了16O、35Cl、79Br离子及高剥离态127I离子的单粒子烧毁(SEB)效应截面测量,得到了SEB截面相对于线性能量转移(LET)值的曲线.对两种类型10片MOSFET功率管器件的SEB截面进行了测量.研究了器件在不同工作条件下,如不同的漏源电压VDS和栅源电压VGS条件下的SEB效应.在相同条件下,127I的SEB截面比79Br的高近两个量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘建成	中国原子能科学研究院核物理研究所	28	107	6.0	9.0
2	李志常	中国原子能科学研究院核物理研究所	12	41	5.0	6.0
3	李淑媛	中国原子能科学研究院核物理研究所	9	34	4.0	5.0